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고체 표면에서의 과정

Atkins, Physical Chemistry, Chapter 19. Langmuir 흡착 등온선의 평형 상수를 조절하여 표면 피복률의 압력 의존성을 탐색합니다.

Langmuir BET Chemisorption Catalysis

흡착과 Langmuir 등온선

흡착(adsorption)은 기체 분자가 고체 표면에 결합하는 현상이다. 물리 흡착(physisorption)은 van der Waals 힘에 의한 약한 결합(약 20 kJ/mol)이고, 화학 흡착(chemisorption)은 화학 결합 형성에 의한 강한 결합(약 200 kJ/mol)이다. Langmuir 모형은 다음 가정을 바탕으로 한다: (1) 표면은 동등한 흡착 자리의 집합이다, (2) 각 자리에 최대 하나의 분자만 흡착한다(단층), (3) 이웃한 흡착 분자 간 상호작용이 없다. 평형에서 흡착 속도 $= k_a P(1-\theta)$와 탈착 속도 $= k_d\theta$가 같으므로, 피복률(fractional coverage) $\theta$는 $\theta = \frac{KP}{1+KP}$이다. 여기서 $K = k_a/k_d$는 흡착 평형 상수이다.

$$\theta = \frac{KP}{1+KP} \quad \text{(Langmuir isotherm)}$$
$$\frac{P}{\theta} = \frac{1}{K} + P \quad \text{(linear form)}$$
Interactive Figure 19.1 Langmuir 흡착 등온선
log10 K (atm-1) 1.00 atm-1
읽기 압력 P (atm) 1.00 atm
Langmuir: theta = KP/(1+KP)
Henry 법칙: theta = KP
K 1.00 atm-1
theta at P 0.500
P1/2 (theta = 0.5) 1.00 atm

BET 이론과 다층 흡착

Brunauer-Emmett-Teller(BET) 이론은 Langmuir 모형을 다층 흡착으로 확장한다. 첫 번째 층은 화학 흡착(또는 강한 물리 흡착)이고, 그 위의 층은 약한 물리 흡착(응축에 가까운)이라고 가정한다. BET 등온선은 $\frac{V}{V_\text{mon}} = \frac{cz}{(1-z)(1-z+cz)}$이다. 여기서 $z = P/P^*$($P^*$는 포화 증기압), $c = \exp[(\Delta_\text{ads}H_1 - \Delta_\text{liq}H)/RT]$이다. 직선화된 BET 식 $\frac{z}{V(1-z)} = \frac{1}{V_\text{mon}c} + \frac{(c-1)z}{V_\text{mon}c}$에서 기울기와 절편으로 $V_\text{mon}$과 $c$를 결정하고, 이로부터 비표면적(specific surface area)을 계산한다.

$$\frac{V}{V_\text{mon}} = \frac{cz}{(1-z)(1-z+cz)}, \quad z = P/P^*$$

불균일 촉매와 표면 분석

불균일 촉매(heterogeneous catalysis)에서 반응물은 고체 촉매 표면에 화학 흡착되고, 표면 반응 후 생성물이 탈착된다. Langmuir-Hinshelwood 메커니즘에서는 두 반응물이 모두 표면에 흡착된 후 반응한다. Eley-Rideal 메커니즘에서는 하나만 흡착되고 기체상의 다른 반응물이 직접 반응한다. Haber 공정(N$_2$ + 3H$_2$ $\rightarrow$ 2NH$_3$)은 Fe 촉매를 사용하는 대표적인 불균일 촉매 반응이다. 표면 분석에는 STM(주사 터널링 현미경), XPS(X선 광전자 분광법), LEED(저에너지 전자 회절), TPD(승온 탈착) 등이 사용된다.

$$\text{L-H: } r = k\theta_A\theta_B = k\frac{K_AP_A}{1+K_AP_A+K_BP_B}\cdot\frac{K_BP_B}{1+K_AP_A+K_BP_B}$$
Langmuir 등온선에서 $\theta = 0.5$가 되는 압력은?
$\theta = \frac{KP}{1+KP} = 0.5$이면 $KP = 1$이므로 $P = 1/K$이다. $K$가 크면(강한 흡착) 낮은 압력에서도 절반이 차고, $K$가 작으면 높은 압력이 필요하다.
Langmuir-Hinshelwood 메커니즘과 Eley-Rideal 메커니즘의 차이는?
Langmuir-Hinshelwood 메커니즘에서는 A와 B 모두 표면에 흡착된 후 인접 자리에서 반응한다. Eley-Rideal 메커니즘에서는 A만 흡착되고 기체상의 B가 직접 흡착된 A와 반응한다.